IT之家 1 月 5 日新闻，外媒 SamMobile 发文，流露联发科已逐渐将重心移向开辟下一代天玑 9500 芯片，相干芯片将于往年末至来岁初表态。最初联发科打算相干芯片采取台积电 2nm 工艺制作，但斟酌到相干工艺价钱昂扬，且苹果同样将在 M5 系列芯片中引入相干工艺占用产能，因而联发科出于本钱跟产能斟酌，抉择 N3P 工艺制作天玑 9500。据先容，台积电的 2nm 工艺引入了一种新的晶体管构造 —— 围绕栅极（IT之家注：Gate-All-Around, GAA）。GAA 晶体管经由过程垂直陈列的程度纳米片，在四个正面包抄通道，而前代的鳍式场效应晶体管（FinFET）仅能笼罩三面。GAA 晶体管存在更低的泄电率跟更高的驱动电流，从而晋升了机能。而现在天玑 9500 将采取 N3P 工艺，固然 N3P 的能效可能不如台积电新一代 2nm 制程节点，但依然比天玑 9400 应用的 N3E 有所改良，详细来说，天玑 9500 据称将包含两个 Arm Cortex-X930 超年夜核跟六个 Arm Cortex-A730 年夜核，频率将超越 4GHz，并支撑可扩大矩阵扩大（SME）。